




硅和锗作为元素半导体,没有化合物半导体那样的化学计量比问题和多组元提纯的复杂性,因此在工艺上比较容易获得高纯度和高完整性的si、ge单晶,硅的禁带宽度比锗大,所以相对于锗器件而言硅器件的结漏电流比较小,硅球规格,工作温度比较高(250℃)硅材料的原料供给可以说是取之不尽的。
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